[20p-S611-1~17] 16.3 シリコン系太陽電池

[20p-S611-4] n型CZシリコンのキャリア寿命に対する熱処理による酸素析出の影響

〇小島 拓人¹、鈴木 涼太¹、小椋 厚志¹、立花 福久²、大下 祥雄³、西島 英一⁴、正田 勲⁴、飯田 伸仁⁴、橘 昇二⁴ (1.明大理工、2.産総研福島、3.豊田工大、4.株式会社トクヤマ)

キーワード：酸素析出、キャリア寿命、n型CZシリコン

酸素濃度の異なる太陽電池用ｎ型CZシリコン基板に拡散工程，誘電体成膜工程を模した450，850，950°Cの熱処理を行ない，キャリア寿命と欠陥領域の変化を調べた．高酸素濃度の基板では950°Cでリング状に分布した酸素の析出が起こり，キャリア寿命は大きく劣化した．また850°Cでは炭素濃度の低いものはキャリア寿命が改善し，高いものでは劣化した．一方，低酸素濃度の基板はより高温でキャリア寿命が改善した．