[20p-S621-1~13] 3.15 シリコンフォトニクス

[20p-S621-6] レーザーアニールを用いたSi上Ge pinフォトダイオードの高性能化(2)

〇永友 翔¹、菊田 真也²、星野 聡彦²、石川 靖彦¹ (1.東大院工、2.東京エレクトロン)

キーワード：ゲルマニウム受光器、暗電流、レーザーアニール

レーザーアニーリングプロセスを用いた近赤外ゲルマニウム受光器について紹介する。シリコン基板上にエピタキシャル成長したゲルマニウム層に近赤外レーザーを照射することで、界面の混晶化を防ぎつつゲルマニウム層内の貫通転位を削減することが可能である。本発表では、pin構造を形成したゲルマニウム層へレーザーアニールを施して作製したGe受光器の電気・受光特性を紹介し、レーザーアニールによる影響について議論する。