2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

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シンポジウム(口頭講演)

シンポジウム » 真空・減圧プロセスにおける気体の流れの解析

[20p-W621-1~7] 真空・減圧プロセスにおける気体の流れの解析

2016年3月20日(日) 14:00 〜 17:30 W621 (西6号館)

中村 健(産総研)、守山 佳彦(東芝)

15:15 〜 15:45

[20p-W621-4] 熱CVD過程のモデル化

秋山 泰伸1 (1.東海大工)

キーワード:化学気相成長法、モデル化、成膜速度

熱CVDはガス原料から化学反応によって薄膜や粉体を製造するという単純な過程に見える。しかし、反応器内では物理的な気体の流れや熱移動と化学反応過程が絡んだ複雑なプロセスである。本講演では単純酸化物およぼ複酸化物薄膜の熱CVD過程について、反応工学的見地に基づき気体の流れや気相内拡散現象の簡易なシミュレーションを行い反応器およびミクロスケールの成膜速度・組成について知見を得る方法について概説する。