[21a-H103-1~10] 6.4 薄膜新材料

[21a-H103-4] PLD法によりSr₂SiO₄ターゲットから作製したSr₂SiO₄薄膜の膜中固定電荷のアニール時間依存性

〇谷脇 将太¹、今西 啓司¹、馬野 光博¹、吉田 晴彦¹、新船 幸二¹、佐藤 真一¹、堀田 育志¹ (1.兵庫県立大学)

キーワード：ストロンチウムシリケイト、パルスレーザーデポジション、電界効果パッシベーション