2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[21a-H121-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

2016年3月21日(月) 08:45 〜 11:45 H121 (本館)

岩谷 素顕(名城大)、斉藤 真(東北大)

10:00 〜 10:15

[21a-H121-6] 高品質ポイントシード結合Na-flux成長GaN基板へのHVPEホモエピ成長

〇吉田 丈洋1、今西 正幸2、北村 寿朗1、大高 健治1、今出 完2、森 勇介2 (1.サイオクス、2.阪大院工)

キーワード：窒化ガリウム自立基板