[21a-H121-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

[21a-H121-7] Cr-Ni溶媒を用いたAlNの溶液成長におけるサファイア種結晶の結晶面の影響

〇黒坂 真一朗¹、鳴海 大翔¹、川西 咲子^2,3、佐々木 秀顕²、吉川 健²、前田 正史² (1.東大工、2.東大生研、3.東北大多元研)

キーワード：AlN、溶液成長

深紫外発光素子の基盤材料として単結晶AlNが期待されており、著者らは高いAlN溶解度積を持つCr-Ni合金を用いた溶液成長法による低温高速成長を目指している。本報では種結晶基板に、c面、a面、r面サファイアとAlNコートサファイア基板を用いて温度差法により溶液成長を行った。その結果、これまで最高速の成長が報告されたCu-Al溶媒に比べて、いずれの種結晶基板においても、より大きな成長速度が得られた。