[21a-H121-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

[21a-H121-8] アモルファス基板上に作製したInGaN薄膜トランジスタの特性

〇小林 篤¹、伊藤 剛輝¹、ライ ケーシン¹、上野 耕平¹、太田 実雄^1,2、藤岡 洋^1,3 (1.東大生研、2.JSTさきがけ、3.JST-ACCEL)

キーワード：結晶成長