[21a-S222-1~12] 21.1 Joint Session K

△ [21a-S222-5] Electronic structure analysis of α-(Al1-_xGa_x)₂O₃ thin films and band alignment analysis of α-(Al_1-xGa_x)₂O₃/ α-Ga₂O₃

〇Takayuki Uchida¹, Riena Jinno¹, syu Takemoto², Kentaro Kaneko¹, Shizuo Fujita¹ (1.Kyoto Univ., 2.kyouto Univ.)

Keywords:Ga2O3,hetero sturucture,band alignment

近年パワーデバイス材料として注目されるワイドギャップ半導体に酸化ガリウム(Ga2O3)がある。このなかのcorundum構造Ga2O3(α-Ga2O3)は最安定構造のβ-Ga2O3と比較して大きなバンドギャップ値を有することからβ-Ga2O3よりも高耐圧パワーデバイス応用が期待できる。これまでβ-Ga2O3を母材としたAl混晶材料についての電子状態およびバンドオフセットは解析が行われてきたが、α-Ga2O3を母材としたAl混晶の上記の解析は行われておらず未知である。これらを本研究では明らかにした。