[21a-S222-1~12] 21.1 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

△ [21a-S222-5] α-(Al_1-xGa_x)₂O₃薄膜の電子状態解析およびα-(Al_1-xGa_x)₂O₃/ α-Ga₂O₃のバンドアライメント解析

〇内田 貴之¹、神野 莉衣奈¹、竹本 柊²、金子 健太郎¹、藤田 静雄¹ (1.京大院工、2.京大工)

キーワード：酸化ガリウム、ヘテロ構造、バンドアライメント

近年パワーデバイス材料として注目されるワイドギャップ半導体に酸化ガリウム(Ga2O3)がある。このなかのcorundum構造Ga2O3(α-Ga2O3)は最安定構造のβ-Ga2O3と比較して大きなバンドギャップ値を有することからβ-Ga2O3よりも高耐圧パワーデバイス応用が期待できる。これまでβ-Ga2O3を母材としたAl混晶材料についての電子状態およびバンドオフセットは解析が行われてきたが、α-Ga2O3を母材としたAl混晶の上記の解析は行われておらず未知である。これらを本研究では明らかにした。