[21a-S222-1~12] 21.1 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[21a-S222-7] NiO上に形成したβ-Ga₂O₃薄膜の結晶配向とそのヘテロ接合

〇中込 真二¹、久保 匠平¹、國分 義弘¹ (1.石巻専修大理工)

キーワード：酸化ガリウム、NiO、ヘテロ接合

NiO上に形成したβ-Ga₂O₃の結晶配向性を検討するとともに、両者によるヘテロ接合ダイオードを製作した。(100) NiO上に成膜したβ-Ga₂O₃は、β-Ga₂O₃ (100) // NiO (100) // MgO (100)、かつ β-Ga₂O₃ (010) // NiO (011) // MgO (011)を満たす4つの90°回転ドメインを形成することが分かった。NiOとβ-Ga₂O₃とによる酸化物ヘテロダイオードにおいて、p形NiO側を正にバイアスとするとき、流れやすい電流‐電圧特性が得られた。