The 63rd JSAP Spring Meeting, 2016

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Oral presentation

Joint Session K » Joint Session K

[21a-S222-1~12] 21.1 Joint Session K

Mon. Mar 21, 2016 9:00 AM - 12:15 PM S222 (S2)

Takayoshi Oshima(Saga Univ.)

11:15 AM - 11:30 AM

[21a-S222-9] Growth of In2O3 by Halide Vapor Phase Epitaxy

Shiyu Numata1, Rie Togashi1, Ken Goto2, Hisashi Murakami1, Akito Kuramata2, Shigenobu Yamakoshi2, Yoshinao Kumagai1 (1.Tokyo Univ. of Agri. and Tech., 2.Tamura Corp.)

Keywords:In2O3,HVPE,Thermodynamic analysis

酸化インジウムは高い可視光透過性と高い伝導性を有することから透明導電膜材料として注目を集めている材料である。今回、我々のグループでは大気圧での成長が可能、高純度結晶が得られるという期待からハライド気相成長(HVPE)法を採用し、In2O3成長を試みた。熱力学解析の結果を受けて原料にはInClとO2を選択し、HVPE法によりIn2O3結晶を得ることに成功した為、その結果を報告する。