[21a-S222-1~12] 21.1 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[21a-S222-9] HVPE法によるIn₂O₃成長の検討

〇沼田 至優¹、富樫 理恵¹、後藤 健²、村上 尚¹、倉又 朗人²、山腰 茂伸²、熊谷 義直¹ (1.東京農工大院工、2.タムラ製作所)

キーワード：酸化インジウム、ハライド気相成長、熱力学解析

酸化インジウムは高い可視光透過性と高い伝導性を有することから透明導電膜材料として注目を集めている材料である。今回、我々のグループでは大気圧での成長が可能、高純度結晶が得られるという期待からハライド気相成長(HVPE)法を採用し、In₂O₃成長を試みた。熱力学解析の結果を受けて原料にはInClとO₂を選択し、HVPE法によりIn₂O₃結晶を得ることに成功した為、その結果を報告する。