[21a-W541-1~12] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[21a-W541-2] 自立基板の劈開面に形成したn-GaNショットキー接触の評価 (2) －－表面処理の影響－－

〇永縄 萌¹、青木 俊親¹、三島 友義²、塩島 謙次¹ (1.福大院工、2.法政大)

キーワード：n-GaN ショットキー接触、表面処理、劈開面

n-GaN自立基板を劈開後、劈開面の故意酸化または塩酸洗浄を施し、Niショットキー電極を形成した。劈開のみの試料は障壁高さが0.74-0.79 eVの範囲に分布、n値は平均で1.02と良好な値を示した。故意酸化試料は障壁高さの低下、n値の劣化が著しく、表面酸化の影響が大きいと考えられる。塩酸試料は障壁高さ、n値共にばらつきが大きく、n値は平均で1.06と劈開試料に比べ大きい。洗浄により表面の清浄性が失われたと考えられる。