[21a-W641-1~12] 6.1 強誘電体薄膜

[21a-W641-7] パルスポーリングが基板上およびMEMSカンチレバー上PZT薄膜の圧電特性に与える影響

〇小林 健¹、牧本 なつみ¹ (1.産総研)

キーワード：PZT、ポーリング、MEMS

我々はパルスポーリングにより、MEMSカンチレバー上のPZT薄膜の圧電特性が向上することを報告してきた。ここで基板上のPZT薄膜は基板に拘束されているため、パルスポーリングによる圧電特性工場の効果がより明確に表れると期待される。そこで本研究では、基板上およびMEMSカンチレバー上のMPB-PZT薄膜に様々な条件でパスルポーリングを行い、圧電特性を比較した。