[21p-H103-1~21] 6.4 薄膜新材料

[21p-H103-9] H₂O添加成膜したIn-Ga-O半導体薄膜の特性

〇西村 英一郎¹、森本 敏夫¹、中山 徳行¹、松村 文彦¹、白木 真菜¹、清水 耕作²、大野 祐樹²、田中 聡² (1.住友金属鉱山株式会社、2.日本大学)

キーワード：半導体、スパッタリング

我々は、高い移動度を示す酸化物半導体であるIGO(In-Ga-O)に着目して研究を行っている。今回はIGOの半導体特性の向上のためにH₂O添加成膜を検討した。
H₂O添加成膜したIGO薄膜ではホール移動度は20cm²/ cm²V^-1s^-1以上の高い値を示し、高い移動度を維持したまま、キャリア濃度の抑制が可能であることが示唆された。