2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[21p-H111-1~22] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2016年3月21日(月) 13:00 〜 18:45 H111 (本館)

島 久(産総研)、内藤 泰久(産総研)

18:30 〜 18:45

[21p-H111-22] Ti系薄膜およびTiナノドットを埋め込んだSiOx膜の抵抗変化特性評価

加藤 祐介1、大田 晃生1、牧原 克典1、宮崎 誠一1 (1.名大院工)

キーワード:抵抗変化メモリ、Tiナノドット、Si酸化物