[21p-H111-1~22] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [21p-H111-5] スパッタ堆積SiO₂膜の抵抗変化現象に対するキャリアエネルギーの影響

〇山口 凛太郎¹、佐藤 伸吾¹、大村 泰久¹ (1.関西大)

キーワード：SiO2、抵抗変化、ホットエレクトロン

遷移金属を母材としない酸化膜についても抵抗変化現象の可否が議論されている。本報告では、スパッタ堆積SiO₂薄膜の抵抗変化現象の本質的理解に向けた検討結果を述べる。SiO₂膜へのホット・エレクトロン注入がresetを発生させうるforming後の低抵抗状態を決めていると考えられる実験結果がえられた。