[21p-H112-1~13] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

△ [21p-H112-12] 低温成長Cドーピングによる高品質InSb膜の成長方法

〇(D)吉川 陽¹、森下 朋浩¹、永瀬 和宏¹ (1.旭化成)

キーワード：InSb、MOCVD

InSbは高い電子移動度を持つこと、3~8 mm帯の中赤外領域にバンドギャップを持つことから磁気センサや赤外領域の光センサなどに応用されている。過去の多くの報告例ではInSbはMBE法により作製されており、MOCVD法により作製された高品質のInSbに関する報告はほとんどない。
我々は低温層／高温層の2段階成長の採用、基板／InSb層界面へのC原子注入を行うことにより、MOCVD法を用いて極めて高品質なInSbの作製に成功したので報告する。