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[21p-P10-12] Improvement in electrical characteristics of 4H-SiC/Si HBTs due to annealing
Keywords:SiC,Heterojunction bipolar transistor
4H-SiCはバンドギャップが広く(3.26 eV)、HBTのエミッタ材料など、次世代のパワーデバイス材料として有望である。我々は既に表面活性化接合(SAB)法により4H-SiC/Si HBT構造を報告している 。今回の研究では報告したHBT構造に界面熱処理を加えることによる電気特性の改善を報告する。