[21p-P10-1~24] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[21p-P10-12] Improvement in electrical characteristics of 4H-SiC/Si HBTs due to annealing

〇(M1)SAE SHIMIZU¹, JIANBO LIANG¹, MANABU ARAI², NAOTERU SHIGEKAWA¹ (1.Osaka City Univ., 2.New Japan Radio Co., Ltd.)

Keywords:SiC,Heterojunction bipolar transistor

4H-SiCはバンドギャップが広く(3.26 eV)、HBTのエミッタ材料など、次世代のパワーデバイス材料として有望である。我々は既に表面活性化接合(SAB)法により4H-SiC/Si HBT構造を報告している 。今回の研究では報告したHBT構造に界面熱処理を加えることによる電気特性の改善を報告する。