[21p-P10-1~24] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[21p-P10-12] 熱処理による4H-SiC/Si HBTの電気特性の改善

〇(M1)清水 彩絵¹、梁 剣波¹、新井 学²、重川 直輝¹ (1.大阪市大工、2.新日本無線(株))

キーワード：SiC、ヘテロ接合バイポーラトランジスタ

4H-SiCはバンドギャップが広く(3.26 eV)、HBTのエミッタ材料など、次世代のパワーデバイス材料として有望である。我々は既に表面活性化接合(SAB)法により4H-SiC/Si HBT構造を報告している 。今回の研究では報告したHBT構造に界面熱処理を加えることによる電気特性の改善を報告する。