[21p-P10-1~24] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[21p-P10-14] 4H-SiC/SiO₂界面酸化の第一原理シミュレーション ～O₂酸化による炭素凝集とCO脱離～

〇山崎 隆浩^1,2、田島 暢夫^1,2、金子 智昭^1,2、清水 達雄³、加藤 弘一⁴、大野 隆央^1,2,4 (1.物材機構、2.MARCEED、3.東芝研究開発センター、4.東大生産研)

キーワード：パワーデバイス、酸化機構、第一原理分子動力学

CO脱離を伴うO₂分子による酸化反応機構を理解するため、これまでに得た知見をもとにSiC(000-1)C面にアモルファス状のSiO₂膜を積み重ねた構造をつくり、プログラムPHASE/0を使った第一原理MDシミュレーションを行った。10個以上のO₂を導入したところでCOの脱離が始まった。Si-C(=O)O-Siのようなエステル結合状態からCOが脱離するものが多かった。