[21p-P10-1~24] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[21p-P10-15] Enhanced-oxidation of Si and 4H-SiC using Alkaline earth metal

〇Kousuke Muraoka¹, Hiroshi Sezaki^1,2, Seiji Ishikawa^1,2, Tomonori Maeda^1,2, Takamaro Kikkawa¹, Shin-Ichiro Kuroki¹ (1.Hiroshima Univ. Nanodevice, 2.Phenitec Semiconductor)

Keywords:MOS interface,Alkaline earth metal

SiC-MOS界面にアルカリ土類金属を導入し、界面準位密度の低減を図る。本研究では、界面改善の足がかりとして、導入後の酸化膜の評価を行った。Si及びSiC表面に酸化バリウムを成膜し酸素雰囲気中で加熱することで、増殖酸化が生じることをX線反射率法により確認した。