[21p-P10-1~24] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[21p-P10-15] アルカリ土類金属によるSi及び4H-SiCの増殖酸化

〇村岡 幸輔¹、瀬崎 洋^1,2、石川 誠治^1,2、前田 智徳^1,2、吉川 公麿¹、黒木 伸一郎¹ (1.広島大学ナノデバイス、2.フェニテックセミコンダクター)

キーワード：MOS界面、アルカリ土類金属

SiC-MOS界面にアルカリ土類金属を導入し、界面準位密度の低減を図る。本研究では、界面改善の足がかりとして、導入後の酸化膜の評価を行った。Si及びSiC表面に酸化バリウムを成膜し酸素雰囲気中で加熱することで、増殖酸化が生じることをX線反射率法により確認した。