[21p-P10-1~24] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [21p-P10-16] 4H-SiC nMOSFETsによる論理インバータ回路の研究

〇(B)黒瀬 達也¹、黒木 伸一郎¹、長妻 宏郁¹、石川 誠治²、前田 知徳²、瀬崎 洋²、吉川 公麿¹、牧野 高紘³、大島 武³、Mikael Ostling⁴、Carl-Mikael Zetterling⁴ (1.広島大学ナノデバイス、2.フェニテック社、3.原子力研究開発機構、4.KTH)

キーワード：SiC、インバータ、MOSFET