[21p-P10-1~24] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [21p-P10-17] 4H-SiC nMOSFETによるPseudo-CMOS論理インバータの研究

〇長妻 宏郁¹、黒木 伸一郎¹、黒瀬 達也¹、石川 誠治^1,2、前田 知徳^1,2、瀬崎 洋^1,2、吉川 公麿¹、牧野 高紘³、大島 武³、Mikael Östling⁴、Carl-Mikael Zetterling⁴ (1.広島大学ナノデバイス、2.フェニテックセミコンダクター(株)、3.日本原子力研究開発機構、4.KTH Royal Institute of Technology)

キーワード：シリコンカーバイド、極限環境、nMOSFET