[21p-P10-1~24] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[21p-P10-23] Degradation Analysis for TO-247 Pack SiC-MOSFETs stored at a High Temperature

〇Sawa Araki¹, Tatsuhiro Suzuki¹, Mari Yamashita¹, Toshiaki Ohno², Hisashi Yakumaru³, Hiroki Sawada⁴, Satoshi Tanimoto¹ (1.NISSAN ARC, LTD., 2.Nordson Advanced Technology Japan K.K., 3.Hitachi Power Solutions Co.,Ltd., 4.IWATSU TEST INSTRUMENTS CORPORATION)

Keywords:SiC,MOSFET,high temperature storage

前回[1]、電流定格>30 A、耐圧>1.2 kVのTO-247パック市販SiC-MOSFETの-40℃⇔200℃冷熱サイクル試験の結果について報告した。本報告では、200℃放置試験による劣化過程を調査し、高T_j化させたときに起こる種々の問題を顕在化させたので報告する。