[21p-P10-1~24] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

△ [21p-P10-4] Improvement of p-3C-SiC photoelectrode by using a surface n-type layer

〇naoto ichikawa¹, Masashi Kato¹, Masaya Ichimura¹ (1.NIT)

Keywords:SiC,photoelectrode,epitaxial growth

3C-SiCは化学的に安定、可視光吸収可能と光電極材料として期待できる。我々は以前に12 mA/Wの照射強度あたりの光電流を示すp型3C-SiC光電極の報告をした。今回我々はp⁺型4H-SiC基板上のp型3C-SiC光電極の表面にn型層を形成することで性能向上を試みた。