[21p-P10-1~24] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [21p-P10-4] 表面n型層の形成によるp型3C-SiC光電極の性能向上

〇市川 尚澄¹、加藤 正史¹、市村 正也¹ (1.名工大)

キーワード：SiC、光電極、エピタキシャル成長

3C-SiCは化学的に安定、可視光吸収可能と光電極材料として期待できる。我々は以前に12 mA/Wの照射強度あたりの光電流を示すp型3C-SiC光電極の報告をした。今回我々はp⁺型4H-SiC基板上のp型3C-SiC光電極の表面にn型層を形成することで性能向上を試みた。