[21p-P10-1~24] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[21p-P10-8] The Correlation of electrical properties of Hall measurement and TEM observation on Al⁺ or N⁺ implanted SiC

〇Kenichi Yoshida¹, Junko Maekawa¹, Hitoshi Kawanowa¹ (1.ITC)

Keywords:silicon carbide,ion implantation,TEM

我々はこれまでSiC半導体に対してAl⁺注入と高温アニール処理による活性化を行い、ホール測定によるシート抵抗、ラマン測定やTEM観察による欠陥評価で注入ドーズにおける適切な活性化温度等を評価してきた。N⁺注入でもホール測定とラマン測定からイオン注入手法の固容限界点を見出した。今回は固容限界点以上で活性化しないのは、イオン注入における結晶欠陥に起因するかをTEM像から評価したので報告する。