[21p-P10-1~24] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[21p-P10-9] Effects of nitrogen doping in 4H-SiC by laser ablation of a SiN_x film and its diffusion mechanism

〇Ryota Kojima¹, Hiroshi Ikenoue¹, Masaru Suwa¹, Akihiro Ikeda¹, Daisuke Nakamura¹, Tanemasa Asano¹, Tatsuo Okada¹ (1.Graduate School of I.S.E.E., Kyushu Univ.)

Keywords:4H-SiC,laser doping

4H-SiCは3.26eVのバンドギャップを持つワイドギャップ半導体であり，優れた材料物性を持つため，パワーデバイスや低環境負荷デバイスの材料として注目されているが，プロセス技術の課題が残されている．特に不純物ドーピングに関しては，不純物濃度の向上，活性化率改善及びプロセス温度低減等が求められている．本報告では，SiN_x/4H-SiCに対してレーザー照射することで窒素のドーピングを試み，窒素の拡散現象について調査した．