[21p-P10-1~24] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[21p-P10-9] SiN_x膜レーザーアブレーションによる4H-SiCへの窒素ドーピングと窒素拡散機構に関する研究

〇小島 遼太¹、池上 浩¹、諏訪 輝¹、池田 晃裕¹、中村 大輔¹、浅野 種正¹、岡田 龍雄¹ (1.九州大シス情)

キーワード：4H-SiC、レーザードーピング

4H-SiCは3.26eVのバンドギャップを持つワイドギャップ半導体であり，優れた材料物性を持つため，パワーデバイスや低環境負荷デバイスの材料として注目されているが，プロセス技術の課題が残されている．特に不純物ドーピングに関しては，不純物濃度の向上，活性化率改善及びプロセス温度低減等が求められている．本報告では，SiN_x/4H-SiCに対してレーザー照射することで窒素のドーピングを試み，窒素の拡散現象について調査した．