[21p-P11-1~11] 15.8 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[21p-P11-4] Si単結晶中のドーパント近傍の金属拡散に関する第一原理計算

〇山田 惇弘¹、白澤 渉¹、末岡 浩治¹ (1.岡山県立大学)

キーワード：シリコン、ゲッタリング、ドーパント