[21p-P17-1~26] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[21p-P17-2] ガラス基板上のHigh-kゲート絶縁膜を有する自己整合メタルダブルゲート Ni-SPC 低温 Poly-Si TFT

〇仁部 翔太¹、原 明人¹ (1.東北学院大工)

キーワード：薄膜トランジスタ

ガラス基板上に簡単で安価に高性能なメタルダブルゲート(DG) 低温(LT) poly-Si TFTを実現するため、ゲート絶縁膜に高誘電率膜であるHfO₂を用い、Niを利用した金属誘起固相成長を利用してpoly-Si薄膜を形成した。ゲート絶縁膜にSiO₂を用いたDG TFTやHfO₂を用いたトップゲート(TG) TFTとの性能の比較の結果、HfO₂を用いたDG TFTは、オン電流値が優れていることが確認された。