2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(ポスター講演)

13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[21p-P17-1~26] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

2016年3月21日(月) 16:00 〜 18:00 P17 (屋内運動場)

16:00 〜 18:00

[21p-P17-25] マイクロ圧縮試験によるMEMS用金電気めっきの機械的特性の評価

葭葉 将治1,2、Chen Chun-Yi1,2、Chang Tso-Fu Mark1,2、山根 大輔1,2、町田 克之1,2,3、益 一哉1,2、曽根 正人1,2 (1.CREST、2.東工大精研、3.NTTAT)

キーワード:MEMS、金電気めっき、マイクロ圧縮試験

本研究では、マイクロ圧縮試験により電気めっきで作製した金薄膜の機械的性質を調べた。マイクロ圧縮試験片は角柱形状で、金電気めっき薄膜から集束イオンビーム(FIB)加工機を用いて作成した。本研究の金薄膜はナノオーダーの結晶粒を持っており降伏強度は600MPaを超えていた。バルクの金材料の降伏強度は200MPa前後であることを考慮すると、本研究の金薄膜は細粒化強化機構により強化されていることが分かった。