[21p-P3-1~21] 6.2 Carbon-based thin films

[21p-P3-19] Deposition of a-CN_x:H films with hig nitrogen content from discharge plasma of organic vapor/N₂ gasmixture - Structural analysis

〇Kenya Hiramatsu¹, Hidetoshi Saitoh¹, Haruhiko Ito¹ (1.Nagaoka Univ. of Tech)

Keywords:Amorphous Carbon Nitride

水素化されたアモルファス窒化炭素膜の生成法として有機化合物と窒素ガスとの混合気体放電が広く用いられている。最近の我々の研究で、有機化合物の分圧を窒素のそれに比べて十分に低くとると、窒素含有率が最大で0.5程度の膜が得られることがわかっている。このような膜の構造解析は十分に行われていないため、本研究ではCH₃CN、C₆H₆を原料を変え、さらに窒素ガスの導入量を変化させて並行平板型高周波プラズマCVD装置で作製した膜の組成と構造を調べた。