The 63rd JSAP Spring Meeting, 2016

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Oral presentation

13 Semiconductors » 13.2 Exploratory Materials, Physical Properties, Devices

[21p-S223-1~17] 13.2 Exploratory Materials, Physical Properties, Devices

Mon. Mar 21, 2016 1:30 PM - 6:00 PM S223 (S2)

Kenji Yamaguchi(JAEA), Kosuke Hara(Univ. of Yamanashi)

2:15 PM - 2:30 PM

[21p-S223-4] Surface treatment and characterizations of Na doped type II clathrate films

Nanto Sugii1, Hiroyuki Manjo1, Tetsuya Mukai1, Kazushi Sone1, Fumitaka Ohashi1, Tamio Iida2, Tetsuji Kume1, Himanshu Shekhar Jha1, Shuichi Nonomura1 (1.Gifu univ., 2.NIT Gifu)

Keywords:clathrate,germanium

これまでに我々はGe基板上や透明基板上におけるNaxGe136膜の合成について報告した。しかし、作製した膜の表面にはNaの化合物である不純物が存在しており、電子物性評価およびデバイス化のためには、表面不純物除去技術の確立が必要不可欠である。本研究では表面不純物除去を目的として様々な表面処理を行うとともに、物性評価を行った。