[21p-W541-1~12] 13.8 Compound and power electron devices and process technology

[21p-W541-10] 1,000 V Switching Characteristics of Cascode GaN Polarization Super Junction (PSJ) Transistor on Sapphire

〇Shuichi Yagi¹, Shouko Hirata¹, Yusuke Kamiyama¹, Fumihiko Nakamura¹, Takeru Saito¹, Hiroji Kawai¹ (1.POWDEC)

Keywords:GaN,power device

サファイア基板上の分極超接合（PSJ）方式を用いた1200V/40A級GaN FETをSi-MOSと組み合わせるカスコード接続でノーマリーオフ化し、1,000Vのスイッチング評価を行った。ドレイン電圧上昇時間（Tr）は28 ns、下降時間（Tf）は66 nsであった。サファイア基板上のGaN PSJ-FET は、カスコード接続を用いても高圧時に電流コラプスの影響が無いことが確認できた。