[21p-W541-1~12] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [21p-W541-5] トレンチ構造をもつGaN縦型MOSFETの特性評価

〇(M1)篠倉 暁希¹、徳田 博邦¹、江戸 雅晴²、上野 勝典²、葛原 正明¹ (1.福井大院工、2.富士電機)

キーワード：窒化ガリウム、トレンチMOSFET、GaN MOSFET

窒化ガリウム(GaN)を用いたパワーデバイスでは、高耐圧かつ低損失のパワースイッチング性能が期待される。これまでAlGaN/GaN HEMTを代表とする横型デバイスの研究が先行してきたが、小型・大電流・高耐圧が可能なノーマリーオフ動作デバイスとして縦型MOSデバイスへの期待が高まっている。トレンチ構造をもつ縦型MOSFETでは、p-GaNチャネル上にソース領域となる高濃度n-GaNを形成するプロセス技術の開発が重要である。本研究では、高濃度n-GaN領域の形成にSiイオン注入を用いたトレンチ構造GaN MOSFETを試作し、良好なノーマリーオフ動作を確認したので報告する。