[21p-W541-1~12] 13.8 Compound and power electron devices and process technology

[21p-W541-6] Relationship between Al compositions of AlGaN buffer layer and vertical leakage current of AlGaN/GaN HEMT on Si substrate

〇yuya yamaoka^1,2, Kazuhiro Ito², Ubukata Akinori¹, Yoshiki Yano¹, Toshiya Tabuchi¹, Koh Matsumoto¹, Takashi Egawa² (1.TNSC, 2.NItech)

Keywords:AlGaN/GaN HEMT,Si substrate,Leakage current

Si基板上AlGaN/GaN HEMTは低価格な次世代パワーデバイスとして注目されている。横型デバイスにおいて縦方向のリーク電流があると、十分な特性を得ることができない。そこで基板/エピ層界面の状態とデバイス縦方向リーク電流の関係を調査している^[1]。本報告は、初期AlN層上に積層するAlGaN緩衝層のAl組成とリーク電流の相関について報告する。
[1]伊藤他：第76回応用物理学会秋季学術講演会 16a-4C-10