[21p-W541-1~12] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[21p-W541-7] ノーマリオフ GaN HEMTのダイオード動作における耐圧および容量特性

〇加藤 直樹¹、永井 昂哉¹、成田 智隆¹、長田 大和²、上村 隆一郎²、伊東 健治³、分島 彰男¹、江川 孝¹ (1.名工大院、2.ULVAC、3.金沢工大)

キーワード：窒化物半導体、HEMT