[21p-W541-1~12] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[21p-W541-8] 自立GaN基板上イオン注入MISFETのノーマリーオフ動作

〇菅又 滉大¹、金田 直樹²、三島 友義¹、中村 徹¹ (1.法政大、2.クオンタムスプレッド)

キーワード：自立GaN基板、MISFET