固相成長による配向制御したHfO<sub>2</sub>基強誘電体薄膜の作製と特性評価

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一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.1 強誘電体薄膜

[21p-W641-1~19] 6.1 強誘電体薄膜

2016年3月21日(月) 13:45 〜 19:00 W641 (西6号館)

藤沢浩訓(兵庫県立大)、吉村武(大阪府立大)、安井伸太郎(東工大)

15:45 〜 16:00

〇三村和仙¹、片山きりは¹、清水荘雄²、内田寛³、木口賢紀⁴、赤間章裕⁴、今野豊彦⁴、坂田修身⁵、舟窪浩^1,2 (1.東工大総理工、2.東工大元素、3.上智大理工、4.東北大金研、5.NIMS)

キーワード：強誘電体、HfO2