[22a-P4-1~27] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[22a-P4-10] 価数を制御したVO₂薄膜の金属－絶縁体転移

丹野 友博¹、末次 高明¹、土屋 敬志¹、小林 正起²、〇樋口 透¹、組頭 広志² (1.東理大理、2.高エネ研)

キーワード：二酸化バナジウム、金属-絶縁体転移

RFマグネトロンスパッタ法により、Al2O3, MgO基板上にVO2薄膜を作製し、構造・電気特性を評価した。格子歪とV価数を制御することにより、金属-絶縁体転移の温度や抵抗が変化した。電子構造の計測から、バンド幅や電子相関エネルギーの変化も観測された。