9:30 AM - 11:30 AM
[22a-P5-11] Characterization on type II Si clathrate film with HF treatment
Keywords:clathrate,semiconductor
Na内包II型Siクラスレート(NaxSi136)は、Si原子からなる籠状構造をもつ物質である。籠内にゲスト原子(Na)を含まないゲストフリーII型Siクラスレート(Si136)は、禁制帯幅が約1.8 eVであり直接遷移型バンド構造をもつことから太陽電池の新規光吸収材料として期待できる。これまでに我々はSi 基板上にNaxSi136 膜を合成し,ヨウ素とともに熱処理(ヨウ素処理)を行うことにより内包Naの除去について報告を行ってきた[1]。デバイス化を考えると薄膜表面の酸化膜に関する知見とその除去は重要である。本研究では、NaxSi136膜の表面酸化膜の評価とその除去、および物性評価を行った。