[22a-P5-1~18] 6.4 薄膜新材料

[22a-P5-11] II型Siクラスレート薄膜におけるフッ化水素酸処理および物性評価

〇浦野 和俊¹、上原 康暉¹、浅野 友紀¹、大橋 史隆¹、久米 徹二¹、伴 隆幸¹、野々村 修一¹ (1.岐大工)

キーワード：クラスレート、半導体

Na内包II型Siクラスレート（Na_xSi₁₃₆）は、Si原子からなる籠状構造をもつ物質である。籠内にゲスト原子（Na）を含まないゲストフリーII型Siクラスレート（Si₁₃₆）は、禁制帯幅が約1.8 eVであり直接遷移型バンド構造をもつことから太陽電池の新規光吸収材料として期待できる。これまでに我々はSi 基板上にNa_xSi₁₃₆ 膜を合成し，ヨウ素とともに熱処理（ヨウ素処理）を行うことにより内包Naの除去について報告を行ってきた[1]。デバイス化を考えると薄膜表面の酸化膜に関する知見とその除去は重要である。本研究では、Na_xSi₁₃₆膜の表面酸化膜の評価とその除去、および物性評価を行った。