The 63rd JSAP Spring Meeting, 2016

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Poster presentation

15 Crystal Engineering » 15.4 III-V-group nitride crystals

[22a-P6-1~19] 15.4 III-V-group nitride crystals

Tue. Mar 22, 2016 9:30 AM - 11:30 AM P6 (Gymnasium)

9:30 AM - 11:30 AM

[22a-P6-11] Effect of well layer thickness on the external quantum effisiency of MOCVD-grown InGaN/GaN MQW sollar cells

Tatsuya Tsutsumi1, Tomoki Kabata1, Takuma Mori1, Makoto Miyoshi1, Takashi Egawa1 (1.Nagoya Inst.)

Keywords:Photovoltaics,a group III nitride semiconductor

高効率の太陽電池としてGaN系太陽電池の実現が期待されている。ここで、光吸収層であるInGaN結晶をMOCVD成長によって膜厚化するとき結晶品質が悪くなるという問題点がある。解決策として、多層膜(MQW)型太陽電池が提案され活発に研究が行われている。本研究ではInGaN/GaN多層膜太陽電池のwell層の膜厚の変換効率への影響を調査したので報告する。