[22a-S222-1~8] 21.1 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

△ [22a-S222-2] 酸化物薄膜トランジスタへ向けたCドープしたIn-W-Oチャネル材料の特性

〇(M2)栗島 一徳^1,2、生田目 俊秀²、三苫 伸彦²、木津 たきお²、塚越 一仁²、澤田 朋実²、大井 暁彦²、山本 逸平^3,2、大石 知司³、知京 豊裕²、小椋 厚志¹ (1.明治大、2.物材機構 WPI-MANA、3.芝浦工大)

キーワード：酸化物半導体、薄膜トランジスタ

In系金属酸化物チャネルを用いた薄膜トランジスタ(TFT)の研究が盛んであるが、Inと酸素の小さな結合解離エネルギーのために、プロセス中に酸素欠損を容易に生成してトランジスタ特性を劣化させる懸念があった。本研究では、C添加したIn-W-O（In_1-xW_xOC）膜のチャネル材料としての有望性について、物質特性及び電気特性（電気伝導率、移動度及びキャリア濃度）から検討した結果を報告する。