[22a-S222-1~8] 21.1 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

△ [22a-S222-3] a-IGZO薄膜の後焼成に伴う構造緩和と結晶化

〇須古 彩香¹、賈 軍軍¹、中村 新一¹、岡島 敏浩²、重里 有三¹ (1.青山学院大、2.九州シンクロトロン光研究センター)

キーワード：IGZO、結晶化

a-IGZO の結晶化挙動とデバイス特性変化を解析した。TEM解析はすでに2014年度秋季講演会にて報告した。今回は九州シンクロトロン光研究センターにて各元素のXAFS測定を行った。300˚C焼成膜はTEMやXRDの解析でアモルファスであったが、同径分布では最近接原子の秩序性が向上する変化が見られた。IGZO薄膜はアモルファス構造を保ったまま構造緩和によりデバイス特性が改善されたと考えられる。