[22a-S222-1~8] 21.1 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[22a-S222-4] IGZO結晶における原子配置と酸素欠損の関係

〇高橋 正弘¹、中山 智則¹、菊地 彫¹、中島 基¹、山﨑 舜平¹ (1.半エネ研)

キーワード：IGZO、酸素欠損、第一原理計算

InGaZnO₄結晶の構造解析によると、Ga、Znは同じ位置を占めており、それらは様々な配置を取る可能性がある。今回、酸素と近接するGa、Zn配置の組み合わせが多い計算モデルを作製し、酸素欠損の形成し易さと近接する原子配置との関係について第一原理計算を用いて調べた。その結果、（Ga, Zn）O層において、近接するZnの数が多い酸素ほど酸素欠損を形成し易いことが示唆された。